确定PHEMT器件等效电路的一种新方法

• 作者: 张斌 谢利刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等效电路 本征 非本征 解析 优化 S参数
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 748-752
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.014

摘要

提出了一种新的确定PHEMT器件小信号等效电路方法.这种方法包括对本征元件与非本征元件的解析求解以及逆向求解优化非本征元件,从而提高非本征元件值的精度,使得整个等效电路的精度大大提高.这种方法迅速而准确,用Matlab编制的程序可重复使用.确定的等效电路可以很好地与测量值吻合至20GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张斌		25	123	7.0	10.0
2	谢利刚		1	5	1.0	1.0