电子束直写邻近效应校正技术

• 作者: 任黎明 刘明 李泠 王云翔 陆晶 陈宝钦 龙世兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米结构图形 电子束直写 蒙特卡罗模拟 邻近效应校正
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 221-225
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3723字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.050

摘要

通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程,探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径.实验结果表明:邻近效应现象是一种综合效应,可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响,使邻近效应校正达到预期的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	陈宝钦	中国科学院微电子中心	50	361	11.0	16.0
3	王云翔	中国科学院微电子中心	8	36	5.0	5.0
4	任黎明	北京大学微电子学系	4	22	3.0	4.0
5	陆晶	中国科学院微电子中心	4	27	4.0	4.0
6	龙世兵	中国科学院微电子中心	14	45	6.0	6.0
7	李泠	中国科学院微电子中心	8	32	5.0	5.0