高血压性脑出血及血肿周围组织水肿的无创性检测

• 作者: 杨浩 王健 王平 董为伟
• 来源期刊: 中华医学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 颅内出血,高血压性 脑水肿 无创性电阻抗
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 471-474
• 页数: 4页
• 分类号: R74
• 字数: 4124字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/j:issn:0376-2491.2003.06.009

摘要

目的探讨脑出血及血肿周围组织水肿的动态变化规律.方法应用无创性脑电阻抗检测方法,测定了100例正常志愿者和24例高血压性脑出血患者的双侧脑电阻抗,并将其与头颅CT检查作对比研究.结果在不同测定频率下,正常人两侧大脑半球电阻抗基本对称(P>0.05).左右两侧脑电阻抗值在测定频率为20 kHz时分别为11.5±1.3 kΩ和11.4 ±1.8 kΩ,50 kHz时分别为10.2±1.0 kΩ和10.3±1.1 kΩ,100 kHz时分别为9.1±0.8 kΩ和9.2±0.8 kΩ.年龄、性别及测定时间等因素对脑电阻抗无明显影响.脑出血患者血肿侧脑电阻抗呈现先降低后升高的特点.24 h内血肿侧电阻抗变化率与血肿体积呈负相关(r=-0.895 3,P<0.01),而血肿侧电阻抗变化率与血肿周围组织水肿的体积呈正相关(r=0.881 1, P<0.01).结论脑电阻抗是反映人脑组织电学性质的一种较稳定的物理学参数;无创性脑电阻抗检测可较敏感地反映脑出血后血肿及血肿周围组织水肿的变化,有助于指导脑出血临床治疗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董为伟	重庆医科大学神经病研究所	190	2189	23.0	37.0
2	王平	重庆大学电气工程学院	60	539	13.0	21.0
3	杨浩	重庆大学电气工程学院	86	852	14.0	23.0
4	王健	重庆医科大学神经病研究所	44	297	10.0	15.0