高跨导AlGaN/GaN HEMT器件

• 作者: 刘新宇 刘键 吴德馨 和致经 肖冬萍 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMTs 跨导
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 907-910
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.003

摘要

报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的最大电流密度达到1000mA/mm,最大跨导高达198mS/mm,转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点.同时由所测得的S参数推出栅长为1.0μm器件的截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为18.7GHz和19.1GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室	58	345	11.0	14.0
3	刘键	中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室	28	152	8.0	11.0
4	和致经	中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室	36	229	9.0	13.0
5	魏珂	中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室	24	134	5.0	10.0
6	肖冬萍	中国科学院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室	1	15	1.0	1.0