6H-SiC Schottky二极管的正向特性

• 作者: 刘忠立 尚也淳 王姝睿
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC Schottky结 势垒不均匀性 界面层
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 504-509
• 页数: 6页
• 分类号: TN311+.8
• 字数: 4285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.012

摘要

提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型,势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各种缺陷,而界面层上的压降会使正向Schottky结的有效势垒增高.该模型能够对不同温度下SiC Schottky结正向特性很好地进行模拟,模拟结果和测量数据相符.它更适用于考虑器件温度变化的场合,从机理上说明了理想因子、有效势垒和温度的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院半导体研究所微电子研究发展中心	77	412	12.0	14.0
2	王姝睿	中国科学院半导体研究所微电子研究发展中心	7	52	5.0	7.0
3	尚也淳	中国科学院半导体研究所微电子研究发展中心	3	21	3.0	3.0