InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响

• 作者: 叶小玲 孟宪权 张子旸 徐波 曲胜春 李成明 王占国 金鹏
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 光致发光 能级间距
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.26|O431
• 字数: 1540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.02.004

摘要

系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35 μm,基态与第一激发态的能级间距高达103 meV的InAs量子点的发光特性.这一结果对实现高T0的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义.