Cd1-xZnxTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用

• 作者: 冯良桓 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 蔡道林 邵烨 郑家贵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cd1-xZnxTe薄膜 共蒸发法 CdTe太阳电池 光能隙
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 183-188
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.015

摘要

用共蒸发法制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜结构属立方晶系空间群F43m.通过透射光谱的测量,计算光能隙,得到室温时薄膜的光能隙随组分x值的变化满足二次方关系.作为对异质结界面的修饰,提出了有Cd1-x-ZnxTe过渡层的CdS/CdTe/Cd1-xZnxTe/ZnTe∶Cu电池.并在相同工艺下制备了CdS/CdTe/Cd0.4Zn0.6Te/ZnTe∶Cu与CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太阳电池,发现前者比后者效率平均增加了35.0%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯良桓	四川大学材料科学系	78	424	10.0	17.0
2	蔡亚平	四川大学材料科学系	33	302	10.0	16.0
3	郑家贵	四川大学材料科学系	49	317	9.0	15.0
4	张静全	四川大学材料科学系	69	285	8.0	15.0
5	蔡伟	四川大学材料科学系	30	296	10.0	16.0
6	李卫	四川大学材料科学系	56	193	7.0	12.0
7	武莉莉	四川大学材料科学系	56	217	8.0	13.0
8	邵烨	四川大学材料科学系	4	77	3.0	4.0
9	蔡道林	四川大学材料科学系	2	16	2.0	2.0