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摘要:
(AlaGa1-x)0.5In0.5P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的,它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底.LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属镜面衬底或蓝宝石衬底结合以提高出光效率.本文对上述三种晶片键合的器件制备过程和器件特点进行了描述.
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文献信息
篇名 晶片键合在AlGaInP发光二极管中的应用
来源期刊 激光与光电子学进展 学科 工学
关键词 AIGaInP 发光二极管 透明衬底 镜面衬底
年,卷(期) 2003,(7) 所属期刊栏目 光电子应用与产业化
研究方向 页码范围 50-53
页数 4页 分类号 TN3
字数 1250字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 潘教青 山东大学晶体材料国家重点实验室 6 22 3.0 4.0
2 黄柏标 山东大学晶体材料国家重点实验室 47 364 10.0 17.0
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研究主题发展历程
节点文献
AIGaInP
发光二极管
透明衬底
镜面衬底
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
激光与光电子学进展
半月刊
1006-4125
31-1690/TN
大16开
上海市嘉定区清河路390号(上海市800-211信箱)
4-179
1964
chi
出版文献量(篇)
9127
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28
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