Al2O3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制

• 作者: 任驰 刘晓彦 康晋锋 杨红 韩德栋 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel-Poole发射
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1109-1114
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3784字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.021

摘要

利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层物理特性的影响.结果表明:在较高温度下N2气氛中退火有助于减小泄漏电流;在O2气氛中退火有助于减少Al2O3栅介质中的氧空位缺陷.对Al2O3栅介质泄漏电流输运机制的分析表明,在电子由衬底注入的情况下,泄漏电流主要由Schottky发射机制引起,而在电子由栅注入的情况下,泄漏电流可能由Schottky发射和Frenkel-Poole发射两种机制共同引起.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子学研究所	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子学研究所	38	261	10.0	14.0
3	韩德栋	北京大学微电子学研究所	11	86	5.0	9.0
4	康晋锋	北京大学微电子学研究所	23	358	9.0	18.0
5	杨红	北京大学微电子学研究所	33	204	8.0	13.0
6	任驰	北京大学微电子学研究所	2	18	2.0	2.0