AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究

• 作者: 刘红侠 张涛 郑雪峰 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 kink效应 二维电子气
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 984-988
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2744字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.04.038

摘要

利用二维器件模拟软件MEDICI对AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管器(PHEMT)件进行了仿真,研究了PHEMT器件的掺杂浓度与电子浓度分布,PHEMT器件内部的电流走向及传输特性,重点研究了不同温度和不同势垒层浓度情况下PHEMT器件的kink效应.研究结果表明:kink效应主要与处于高层深能级中的陷阱俘获/反俘获过程有关,而不是只与碰撞电离有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张涛	西安电子科技大学微电子研究所	54	353	12.0	16.0
3	马晓华	西安电子科技大学微电子研究所	40	140	7.0	8.0
4	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0
5	郑雪峰	西安电子科技大学微电子研究所	12	39	4.0	6.0