Mn+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性

• 作者: 俞慧强 修向前 卢佃清 张荣 李杰 沈波 郑有炓 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁半导体(DMS) GaN Mn+ 铁磁性 居里转变温度
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1276-1279
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.12.009

摘要

利用离子注入法将磁性离子Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的GaN薄膜中,获得了稀磁半导体(Ga,Mn)N.光致发光谱结果显示由于Mn的注入,使GaN中常见的黄带发射被大大抑制.在反射和吸收光谱中,观察到锰引入的新吸收带,分析表明该带是由电荷转移过程和锰引入能级(价带顶上310meV处)的吸收组成的.透射光谱显示(Ga,Mn)N的光学带隙发生了红移,计算表明该红移量为30±5meV.震动样品磁强计的测量结果证实了Mn掺杂的GaN样品在室温下具有铁磁性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李杰	南京大学物理系	26	170	8.0	12.0
2	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
3	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
4	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
5	卢佃清	南京大学物理系	5	33	3.0	5.0
6	修向前	南京大学物理系	28	97	5.0	9.0
7	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
8	俞慧强	南京大学物理系	9	65	3.0	8.0