背面Ar+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响

• 作者: 曾绍鸿 李斌 李观启 黄美浅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 背面Ar+轰击 低频噪声 迁移率 界面态
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 307-311
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2229字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.03.014

摘要

研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响.用低能量(550eV) 的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度.饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率模型解释,而线性区低频噪声的减小可用载流子数模型解释;其变化的原因可能与氩离子束背面轰击后反型层电子的有效迁移率、二氧化硅中的固定电荷密度以及硅-二氧化硅界面的界面态密度的变化有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学应用物理系	128	542	12.0	17.0
2	李观启	华南理工大学应用物理系	20	44	4.0	5.0
3	黄美浅	华南理工大学应用物理系	22	79	4.0	8.0
4	曾绍鸿	华南理工大学应用物理系	6	8	2.0	2.0