多能级闪存的总剂量辐射效应

• 作者: 何国伟 孟宣华 殷光迁 顾靖
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多能级闪存 浮栅 γ射线 辐射效应
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 656-662
• 页数: 7页
• 分类号: TN432
• 字数: 3971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.018

摘要

介绍了一种新型的存储技术--多能级存储,并对应用此技术的多能级闪存进行γ射线辐射,研究了多能级闪存的阈值电压及存储单元的电性能曲线等随辐射剂量、辐射剂量率以及时间的关系规律.对实验结果进行了理论解释和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾靖	复旦大学材料科学系	7	92	5.0	7.0
2	孟宣华	复旦大学材料科学系	3	15	2.0	3.0
3	何国伟	复旦大学材料科学系	6	29	3.0	5.0
4	殷光迁	复旦大学材料科学系	1	2	1.0	1.0