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形变超晶格的位错模型与粒子的退道效应
形变超晶格的位错模型与粒子的退道效应
作者:
周小方
林钧锋
罗诗裕
邵明珠
马如康
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
超晶格
位错
摆方程
退道效应
摘要:
引入位错模型讨论粒子的退道效应.把超晶格的沟道偏折等效为位错引起的沟道弯曲,并对刃型位错的退道行为作了具体分析.利用正弦平方势,把粒子运动方程化为具有外力矩的摆方程,用能量法分析了系统的相平面特征,导出了系统的退道系数.
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文献信息
篇名
形变超晶格的位错模型与粒子的退道效应
来源期刊
半导体学报
学科
物理学
关键词
超晶格
位错
摆方程
退道效应
年,卷(期)
2003,(5)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
485-489
页数
5页
分类号
O471.5
字数
4047字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2003.05.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
周小方
26
108
6.0
10.0
2
林钧锋
16
55
4.0
7.0
3
邵明珠
7
71
4.0
7.0
5
罗诗裕
7
49
3.0
7.0
7
马如康
2
43
2.0
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位错
摆方程
退道效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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