VHF等离子体光发射谱(OES)的在线监测

• 作者: 吴春亚 周祯华 朱锋 李洪波 杨恢东 熊绍珍 耿新华 赵颖 麦耀华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 甚高频等离子体化学气相沉积 氢化硅薄膜 光发射谱
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2324-2330
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.09.043

摘要

采用光发射谱(OES)测量技术,对不同制备条件下的甚高频(VHF)等离子体辉光进行了在线监测.实验表明,VHF等离子体中特征发光峰(Si*,SiH*,H*α,H*β等)的强度较常规的射频(RF)等离子体明显增强,并且在制备μc-Si:H的工艺条件下(H稀释度R(H2/SiH4)=23),随激发频率的增加而增大,这些发光峰的变化趋势与材料沉积速率的变化规律较相似.SiH*峰等的强度随气压的变化则因硅烷H稀释度及功率的不同而异:高H稀释(R=23)时,SiH*峰强度在低辉光功率下随反应气压的增大单调下降,在高辉光功率下随气压的变化呈现类高斯规律;低H稀释(R=5.7)时, SiH*峰随气压的变化基本上是单调下降的,下降速率也与功率有关,这些结果表明,VHF-PECVD制备μc-Si:H和a-Si:H的反应动力学过程存在较大差异.此外,随着激发功率的增大,Si*,SiH*峰都先迅速增大然后趋于饱和,并且随着H稀释率的增大,将更快呈现饱和现象.通过对OES结果的分析与讨论可知,VHF-PECVD技术沉积硅基薄膜可以有效提高沉积速率,而且,硅基薄膜的沉积速率的进一步提高需要综合考虑H稀释度、气压和功率等的匹配与优化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱锋	南开大学光电子所	13	154	7.0	12.0
2	周祯华	南开大学光电子所	10	149	5.0	10.0
3	熊绍珍	南开大学光电子所	63	380	12.0	18.0
4	吴春亚	南开大学光电子所	26	305	9.0	17.0
5	李洪波	南开大学光电子所	7	141	7.0	7.0
6	麦耀华	南开大学光电子所	6	83	5.0	6.0
7	耿新华	南开大学光电子所	62	364	13.0	17.0
8	赵颖	南开大学光电子所	105	1195	16.0	33.0
9	杨恢东	南开大学光电子所	5	45	4.0	5.0