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摘要:
对传统分频器电路工作在低电压(1V)时存在的问题进行了分析,在此基础上提出了一种新的分频器电路结构,将NMOS和PMOS管的直流偏置电压分开,有效地解决了分频器在低电压下工作所存在的问题.采用0.18μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,该分频器在1V的电源电压下,能够工作的最高输入频率为19GHz,功耗仅为2.5mW.
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文献信息
篇名 1V,19GHz CMOS分频器设计
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 频率合成器 分频器 锁相环
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 416-420
页数 5页 分类号 TN772
字数 2150字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 洪志良 复旦大学电子工程系 161 1248 18.0 29.0
2 李天望 复旦大学电子工程系 2 52 2.0 2.0
3 曾晓军 复旦大学电子工程系 3 55 3.0 3.0
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节点文献
频率合成器
分频器
锁相环
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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