微电子工艺技术可靠性

• 作者: 章晓文
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 超大规模集成电路 测试结构 金属化电迁称 可靠性模型参数 热载流子注入 TDDB
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 可靠性与分析
• 页码范围: 64-66
• 页数: 3页
• 字数: 2608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2003.09.025

摘要

对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取可靠性模型参数和可靠性信息.超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿,本文对这三种失效机理分别进行了介绍,对各自对应的可靠性模型进行了说明,列举了热载流子汪入效应的寿命评价实例,说明了可靠性评价的重要性,给出了可靠性评价在工艺中的应用流程图.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章晓文	信息产业部电子第五研究所分析中心	16	78	5.0	7.0