新型NVRAM将成为下一代的主流内存

• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 闪存 FRAM MRAM PRAM
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TP333
• 语种: 中文

摘要

该文介绍了铁电RAM(FRAM)、磁阻RAM(MRAM)和相变RAM(PRAM)等三种新型非易失性随机存取存储器(NVRAM)的当前发展动态和未来发展方向.