锆对Cr-Si-Al电阻薄膜微观结构和电性能的影响

• 作者: 吴建生 林泽伟 毛立忠 董显平
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻薄膜 微观结构 晶化 锆 电学稳定性
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 电工技术
• 页码范围: 236-240
• 页数: 5页
• 分类号: TM544.4
• 字数: 3509字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-2467.2003.02.024

摘要

研究了退火态Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-Zr薄膜的微观结构和电性能.结果表明,溅射态非晶薄膜Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-Zr在加热到700 °C的过程中,主要析出2种晶化相:Cr(Al,Si)2和Si纳米晶化相,其中Cr-Si-Al-Zr薄膜中的晶化相Cr(Al,Si)2包含有少量Zr原子.Zr原子的加入抑制了晶化相的形核和长大,从而Cr-Si-Al-Zr薄膜与Cr-Si-Al薄膜相比,需更高的退火温度才能达到趋于零的电阻温度系数.因此,Cr-Si-Al-Zr薄膜具有更好的电学稳定性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建生	上海交通大学教育部高温材料及高温测试重点实验室	141	1402	19.0	30.0
2	董显平	上海交通大学教育部高温材料及高温测试重点实验室	20	67	5.0	7.0
3	毛立忠	上海交通大学教育部高温材料及高温测试重点实验室	4	13	3.0	3.0
4	林泽伟	上海交通大学教育部高温材料及高温测试重点实验室	1	3	1.0	1.0