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摘要:
引入渐变理论,通过建立AlGaInP四元系材料渐变异质结能带简单模型,分析在渐变长度相同、不同渐变方式下导带边的情况.分析不同掺杂浓度下,渐变区长度变化对势垒尖峰值和n区电势能之间差值的影响.讨论了渐变方式引入高亮度发光二极管(HB-LED)器件的作用和意义.
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文献信息
篇名 AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 镓铝铟磷 异质结 渐变 二极管
年,卷(期) 2003,(5) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 1264-1271
页数 8页 分类号 O4
字数 5524字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.05.043
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 范广涵 华南师范大学信息光电子科技学院金属有机化合物气相沉积实验室 147 1064 16.0 26.0
2 陈贵楚 华南师范大学信息光电子科技学院金属有机化合物气相沉积实验室 18 46 5.0 6.0
3 刘鲁 华南师范大学信息光电子科技学院金属有机化合物气相沉积实验室 5 19 3.0 4.0
4 廖常俊 华南师范大学信息光电子科技学院量子电子研究所 92 843 15.0 23.0
5 曹明德 华南师范大学信息光电子科技学院金属有机化合物气相沉积实验室 3 15 3.0 3.0
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镓铝铟磷
异质结
渐变
二极管
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相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
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