事件相关电位及智商和注意缺陷多动障碍的关系

• 作者: 王慧聪 王改青
• 来源期刊: 中国学校卫生
• 学科: 医学
• 关键词: 轻微脑损伤综合征 电位测定法 智力 智力测验
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 心理卫生
• 页码范围: 439-440
• 页数: 2页
• 分类号: R395.6|R179
• 字数: 2338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9817.2003.05.033

摘要

目的探讨事件相关电位与智商及注意缺陷多动障碍(ADHD)之间的关系,为诊治儿童智商和ADHD提供科学依据.方法以DSM-IV诊断标准确定ADHD病例60名,按年龄、性别1∶1匹配正常对照组儿童,应用听觉oddball模式诱发事件相关电位(ERP),采用韦克斯勒学龄儿童智力量表中国修订本(WISC-CR)法进行智能测定,应用SAS统计软件对2组儿童进行分析比较.结果 ADHD组事件相关电位计数正确率显著低于对照组儿童;P2、N2、P3潜伏期显著延长;N1P2峰峰值显著低于对照组;2次记录P3波重复性显著低于对照组儿童;智商,包括总智商(FIQ)、言语智商(VIQ)、操作智商(PIQ)均显著低于对照组儿童.P2、N2、P3潜伏期与FIQ、PIQ呈显著负相关;N1P2峰峰值与FIQ、VIQ呈显著正相关.交互作用分析结果显示,PIQ、VIQ对ADHD的直接影响是客观存在的,且N1P2峰峰值与VIQ之间明确地有着交互作用.结论支持ADHD是由于额前区执行功能不成熟的病因学说.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王慧聪	山西省太原市中心医院神经内科	7	34	3.0	5.0
2	王改青	山西省太原市中心医院神经内科	3	22	2.0	3.0