新颖型弹性膜硅加速度传感器芯片的设计

• 作者: 邓永和
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 厚膜 硅芯片 加速度传感器
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 设计与应用
• 页码范围: 49-50
• 页数: 2页
• 分类号: TP212.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2003.08.022

摘要

介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的制作工艺.通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓永和	湖南工程学院数理系	36	138	5.0	10.0