内表面栅极等离子体源离子注入TiN薄膜及其特性研究

• 作者: 刘赤子 张谷令 杨思泽 杨武保 王久丽 范松华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 腐蚀 等离子体源离子注入 薄膜 氮化钛
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 2213-2218
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.09.021

摘要

阐述了栅极增强等离子体源离子注入(GEPSII)方法的基本思想.利用GEPSII方法在45号钢基底上生成了金黄色氮化钛(TiNx)膜.对不同条件下的TiN膜做电化学腐蚀,XPS,AES,XRD等分析.电化学腐蚀实验显示TiN薄膜改善了45号钢的耐腐蚀性能5-10倍,且在高气压下效果更好.结构分析显示TiN膜含有TiO2,TiN成分,主要沿(111)和(200)晶向生长,深度分析显示膜的厚度只有二十几纳米,膜质地均匀且在基底有一定的嵌入深度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨武保	中国科学院物理研究所	3	45	3.0	3.0
2	范松华	中国科学院物理研究所	7	84	5.0	7.0
3	刘赤子	中国科学院物理研究所	12	170	8.0	12.0
4	张谷令	中国科学院物理研究所	12	156	7.0	12.0
5	王久丽	中国科学院物理研究所	6	85	5.0	6.0
6	杨思泽	中国科学院物理研究所	34	349	11.0	17.0