复合电铸制备Cu/SiCp复合材料的工艺

• 作者: 刘磊 朱建华 沈彬 胡国华 胡文彬
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复合电铸 铜基 碳化硅颗粒 复合材料
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 金属学与金属工艺
• 页码范围: 182-185
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.44
• 字数: 2677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-2467.2003.02.010

摘要

采用复合电铸工艺制备碳化硅颗粒(SiCp)增强铜基复合材料,重点研究了添加剂、颗粒粒径、电流密度、施镀温度、搅拌强度等工艺参数对Cu/SiCp复合材料中SiCp含量的影响.结果表明,优化各工艺参数可有效促进SiCp与铜离子的共沉积,提高复合材料中增强固体颗粒的含量.在此基础上研究开发了一种可有效促进SiC颗粒与铜共沉积的混合添加剂,可获得SiCp含量较高的Cu/SiCp复合材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡文彬	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	82	1984	25.0	41.0
2	沈彬	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	69	959	17.0	27.0
3	刘磊	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	83	1038	17.0	29.0
4	朱建华	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	15	247	11.0	15.0
5	胡国华	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	2	39	2.0	2.0