碳纳米管膜的压阻效应

• 作者: 冯庆 廖克俊 李勇 王万录 胡陈果 黄智
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 物理学
• 关键词: 压阻效应 碳纳米管 压阻因子 传感器件
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 2871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2003.01.007

摘要

对碳纳米管(CNT)膜的压阻效应进行了研究. 实验所用的碳纳米管用热灯丝气相沉积法(CVD)合成, 压阻效应用3点弯曲法测量. 研究发现: 在室温下与500微应变时, 碳纳米管膜的压阻因子至少是65, 超过多晶硅(Si)在35℃时的压阻因子30. 并且, 碳纳米管膜的压阻因子随温度的升高而变大. 还讨论了碳纳米管膜出现压阻效应的机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学数理学院应用物理系	109	849	16.0	22.0
2	廖克俊	重庆大学数理学院应用物理系	66	513	12.0	19.0
3	胡陈果	重庆大学数理学院应用物理系	26	224	8.0	14.0
4	冯庆	重庆大学数理学院应用物理系	16	184	9.0	13.0
5	黄智	重庆大学数理学院应用物理系	28	347	11.0	18.0
6	李勇	重庆大学数理学院应用物理系	80	1657	21.0	38.0