Si含量和基片温度对Ti-Si-N纳米复合薄膜的影响

• 作者: 丁正明 戴嘉维 李戈扬 胡晓萍 顾明元
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ti-Si-N纳米复合薄膜 反应溅射 微结构 超硬性
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 一般工业技术
• 页码范围: 252-256
• 页数: 5页
• 分类号: TB33
• 字数: 3516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-2467.2003.02.028

摘要

通过多靶磁控反应溅射方法沉积了Ti-Si-N系纳米复合薄膜.采用电子能谱仪(EDS)、X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线光电子能谱(XPS)和显微硬度仪分析Ti-Si-N系薄膜的微观结构和力学性能,以及基片温度对薄膜微结构和硬度的影响.结果表明,薄膜中的Si以非晶Si3N4形式抑制TiN晶粒的生长,使之形成纳米晶甚至非晶;薄膜硬度在a(Si)=4.14%时达到最大值(36 GPa),继续增加Si的含量,薄膜硬度逐渐降低.基片温度的提高减弱了Si3N4对TiN晶粒长大的抑制作用,因而高的沉积温度使薄膜呈现出硬度峰值略低和硬度降幅减缓的特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾明元	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	82	1649	22.0	37.0
2	李戈扬	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	109	1036	18.0	25.0
3	戴嘉维	上海交通大学教育部高温材料及高温测试重点实验室	18	231	7.0	15.0
4	胡晓萍	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	11	138	7.0	11.0
5	丁正明	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	5	45	3.0	5.0