充电栅压对聚四氟乙烯多孔膜驻极体储电能力的影响

• 作者: 吴越华 夏钟福 王飞鹏 邱勋林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 聚四氟乙烯 驻极体 储电能力 多孔膜
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3186-3190
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.043

摘要

利用室温下栅控恒压电晕充电、热脉冲技术、开路热刺激放电电流谱以及对在充电过程中通过样品电流的监测等方法,系统地研究了充电栅压对具有开放性孔洞结构的聚四氟乙烯(PTFE)多孔膜储电能力的影响,并讨论了导致这类影响的电荷动力学特性和材料的微结构根源.结果显示,过高的充电栅压会导致沉积电荷密度下降和电荷衰减加剧,不利于这类新结构功能材料压电活性的提高及其热稳定性的改善.合理的优化充电条件能使负极性充电PTFE多孔膜驻极体在有机聚合物材料中显示优异的储电能力及电荷稳定性,并改善其作为双极性空间电荷型压电传感膜的压电活性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏钟福	同济大学波尔固体物理研究所	79	508	12.0	19.0
2	邱勋林	同济大学波尔固体物理研究所	23	139	6.0	10.0
3	王飞鹏	同济大学波尔固体物理研究所	24	75	5.0	6.0
4	吴越华	同济大学波尔固体物理研究所	10	43	4.0	6.0