溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜

• 作者: 何志巍 兰伟 王印月 甄聪棉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔SiO2 低介电常数 溶胶-凝胶
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3130-3134
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3255字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.034

摘要

以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用旋转涂敷的方法,结合溶胶-凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2薄膜.采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性,傅里叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的-CH3键,从而减少了孔洞塌陷.用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,发现薄膜内孔洞尺寸在70-80 nm之间.调节溶胶pH值,发现pH值越小凝胶时间越长.对改性样品热处理的结果表明,在300 ℃时介电常数最低达2.05.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何志巍	兰州大学物理系	7	100	5.0	7.0
2	王印月	兰州大学物理系	39	567	15.0	23.0
3	兰伟	兰州大学物理系	15	168	6.0	12.0
4	甄聪棉	兰州大学物理系	8	89	4.0	8.0