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摘要:
以平均键能Em作为参考能级,计算了10种不同半导体的Schottky接触势垒高度,计算值与实验值符合较好.计算值与实验值的符合程度与Tersoff的电中性能级EB方法相当,优于Harrison和Cardona等人采用sp3平均杂化能εh和介电函数隙中能级ED的计算结果.
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文献信息
篇名 Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 势垒高度 平均键能方法 费米能级
年,卷(期) 2003,(3) 所属期刊栏目 原子和分子物理学
研究方向 页码范围 542-546
页数 5页 分类号 O4
字数 3830字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.03.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李书平 厦门大学物理系 23 51 3.0 5.0
2 王仁智 厦门大学物理系 14 35 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
势垒高度
平均键能方法
费米能级
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
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1933
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