焙烧对二氧化硅胶体晶体薄膜光学特性的影响

• 作者: 李康 汪静 袁春伟
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 物理学
• 关键词: 胶体晶体薄膜 光学特性 垂直沉积法 二氧化硅 焙烧
• 年，卷（期）: 2003,（20）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 2120-2122
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 2388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2003.20.004

摘要

以垂直沉积法 (vertical deposition method)从SiO2的乙醇胶体溶液中制备了胶体晶体薄膜, 并将其在不同温度下进行了焙烧. 通过扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计对生成态和在400℃, 800℃焙烧后的SiO2胶体晶体薄膜进行了表征. 结果表明, 样品在较大范围内保持单晶密排有序结构, 而且无断裂现象发生. 经400℃和800℃焙烧3 h后衍射峰发生很小的蓝移, 而衍射峰的幅值和半峰宽度却发生了显著变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁春伟	东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室	79	1357	23.0	33.0
2	汪静	东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室	13	118	6.0	10.0
6	李康	东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室	5	53	3.0	5.0