氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析

• 作者: 余云鹏 余楚迎 林揆训 林璇英 林舜辉 罗志 谭伟锋
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化非晶硅薄膜,红外吸收谱,氢含量 硅-氢键合模式
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 169-174
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.01.031

摘要

Fourier红外透射(FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜中氢的含量(CH)及硅-氢键合模式(Si-Hn)最有效的手段.对用等离子体化学气相沉积(PCVD)方法在不同的衬底温度(Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析,得到了薄膜中的氢含量,硅氢键合模式及其组分,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余云鹏	汕头大学物理系	27	230	8.0	14.0
2	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
3	林舜辉	汕头大学物理系	15	104	5.0	10.0
4	林揆训	汕头大学物理系	29	339	9.0	18.0
5	余楚迎	汕头大学物理系	27	321	9.0	17.0
6	罗志	汕头大学物理系	3	73	2.0	3.0
7	谭伟锋	汕头大学物理系	1	44	1.0	1.0