双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质

• 作者: H.U.Habermeier 张鹏翔 茶丽梅
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CMR 双层锰氧化物薄膜 PLD 应力
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 498-502
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3248字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.02.047

摘要

用脉冲激光沉积(PLD)方法成功地制备了双层钙钛矿结构的La2-2xSr1+2xMn2O7(x=0.32)单相薄膜.这种薄膜生长在具有不同晶格参数的两种衬底上.测量发现,两种衬底上生长的La2-2xSr1+2xMn2O7(x=0.32)薄膜具有迥然不同的金属-绝缘体转变温度TM-I及其他物性.界面应力的研究表明这是衬底晶格常数不同引起膜内应变的结果.在衬底的压应力下,薄膜的电阻-温度曲线的峰值(TM-I)向高温移动且电阻率(ρ)下降;相反,对于衬底张应力下的薄膜,TM-I下降ρ上升.这些结果可以用双交换模型做很好的解释.