一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究

• 作者: 刘红侠 张绵 郑雪峰 郝跃 韩晓亮
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 碰撞电离率 可靠性评估
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2576-2579
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.10.040

摘要

通过研究应力前后GaAs PHEMT器件电特性的测量,分析了GaAs PHEMT退化的原因,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线.对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系,由此可以对GaAs PHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估.进一步改进GaAs PHEMT的击穿电压,将需要严格控制沟道中的碰撞电离.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0
3	郑雪峰	西安电子科技大学微电子研究所	12	39	4.0	6.0
4	韩晓亮	西安电子科技大学微电子研究所	9	64	5.0	8.0
5	张绵		2	8	1.0	2.0