利用等时退火法预估等温退火效应实验研究

• 作者: 何宝平 李永宏 王桂珍 罗尹虹 龚建成
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等温退火 等时退火 MOS器件
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2239-2243
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.09.026

摘要

对电离辐照损伤后的MOS器件的等温和等时退火特性进行了研究,结果发现,首先,100℃等温退火是有效的,等时退火所需的全过程时间最短;其次,+5V栅偏压退火相对于0V和浮空偏置条件,阈值电压恢复速度快、恢复程度大;最后,利用等时退火数据对等温效应进行了理论预估,实验等温曲线和预估结果吻合得较好.