直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响

• 作者: 余学功 徐进 杨德仁 蒋乐 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直拉硅 掺氮 氧沉淀
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2000-2004
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.08.032

摘要

研究了掺氮直拉硅单晶(NCZ)中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响.通过不同温度高温退火后,测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微缺陷(BMD)密度与高温形核时间的变化关系,同时用透射电子显微镜(TEM)观察氧沉淀及相关缺陷的微观结构.实验结果表明高温退火后氮对硅中氧沉淀形核有明显的促进作用,在相同退火条件下NCZ硅中BMD密度要远远高于相应的普通直拉硅.这是由于氮在高温下与氧反应形成氮氧复合体(N-V-O)促进了氧沉淀的形核,而且TEM的结果表明氧沉淀的形态都是平板状,周围存在应力场.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	徐进	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	43	501	10.0	21.0
5	余学功	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	18	119	7.0	10.0
6	蒋乐	浙江大学硅材料科学国家重点实验室	1	7	1.0	1.0