利用电泳法在金属基底上制备MgB2超导厚膜

• 作者: 刘震 吕惠宾 周岳亮 张芹 朱亚斌 杨国桢 王淑芳 陈正豪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2超导厚膜 电泳 金属基底
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1505-1508
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.06.037

摘要

利用电泳技术在高熔点金属基底Ta,Mo和W上制备MgB2超导厚膜.厚膜中的MgB2晶粒结合紧密,粒度小于1μm,呈随机取向生长.电阻测量表明沉积在Ta,Mo,W上的MgB2厚膜的超导起始转变温度分别为36.5K,34.8K,33.4K,对应的转变宽度为0.3K,1.5K和2.0K.三种基底上制备的MgB2厚膜的临界电流密度在不同温度下随外磁场的变化情况基本相同,MgB2/Mo厚膜的临界电流密度在5K,1T时可达1.2×105A/cm2.本工艺可以随意控制膜的厚度、形状、大小,也可进行双面沉积,且制备出的MgB2厚膜的超导性能优良,为MgB2超导体的实用化提供了可能.