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摘要:
提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法.通过对新制备的H-Si(111)表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面/电解液界面的微分电容的研究,建立了硅表面有机膜结构和性质与界面电容之间的联系.实践证明这是一个简便、快速和有效的实验技术,为硅表面化学修饰与功能化研究提供了一个非常有力的工具.
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文献信息
篇名 硅表面有机单分子膜的新表征方法--界面微分电容测量法
来源期刊 高等学校化学学报 学科 化学
关键词 硅表面单分子膜 微分电容 表征方法
年,卷(期) 2003,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 86-90
页数 5页 分类号 O646
字数 3613字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0251-0790.2003.01.012
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研究主题发展历程
节点文献
硅表面单分子膜
微分电容
表征方法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高等学校化学学报
月刊
0251-0790
22-1131/O6
大16开
长春市吉林大学南湖校区
12-40
1980
chi
出版文献量(篇)
11695
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9
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