nc-Si/SiO2多层膜的制备及蓝光发射

• 作者: 徐骏 李伟 陈坤基 隋妍萍 马忠元 黄信凡
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅多层膜 等离子体氧化 蓝光发射 热退火
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 989-992
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2929字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.04.039

摘要

在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用a-Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a-Si∶H/SiO2多层膜 (ML);利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a-Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc-Si/SiO2 ML,并观察到室温下的蓝光发射;结合Raman散射和剖面透射电子显微镜技术分析了nc-Si/SiO2 ML的结构特性;通过对晶化样品光致发光谱和紫外-可见光吸收谱的研究,探讨了蓝光发射的起源.