PZT铁电薄膜纳米尺度畴结构的扫描力显微术研究

• 作者: 唐新桂 曾华荣 李国荣 殷庆瑞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 畴结构 反转机理 PZT薄膜 扫描力显微术
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1783-1787
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.042

摘要

利用扫描力显微术中压电响应模式原位研究了(111)择优取向的PZT60/40铁电薄膜的纳米尺度畴结构及其极化反转行为.铁电畴图像复杂的畴衬度与晶粒中的畴排列和晶粒的取向密切相关.直接观察到极化反转期间所形成的小至30nm宽的台阶结构,该台阶结构揭示了(111)取向的PZT60/40铁电薄膜在极化反转期间其畴成核与生长机理主要表现为铁电畴的纵向生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国荣	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	49	676	14.0	24.0
2	曾华荣	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	17	128	6.0	11.0
3	殷庆瑞	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	49	684	15.0	24.0
4	唐新桂	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	8	50	3.0	7.0