用于MEMS器件的高性能运算放大器的IC设计与测试

• 作者: 冯勇建 杨涵 程未
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 运算放大器 饱和 测试电路 微机电系统
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 仿真与测试
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2003.04.019

摘要

根据特定电容式微传感器后续处理电路的高性能要求,设计一个运算放大器芯片.设计中采用了美国MOSIS公司提供的n阱0.35μm cmos工艺的SPICE BSIM3 mos管模型,手算估计芯片的参数,然后采用了两种能系统反映芯片特性的测量电路对设计进行了性能测量,并根据测试结果对设计做出相应调整.从最终测试结果来看,设计的运算放大器具有很好的静态和动态性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯勇建	厦门大学萨本栋微机电研究中心	103	953	15.0	26.0
2	程未	厦门大学萨本栋微机电研究中心	4	107	3.0	4.0
3	杨涵	厦门大学萨本栋微机电研究中心	4	97	3.0	4.0