镶嵌于多孔硅微腔中8-羟基喹啉铝的窄峰发射

• 作者: 倪梦莹 曹小龙 李媛媛 李清山 王会新 田海峰 赵建平
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅微腔 8-羟基喹啉铝 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 237-241
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31|TN383.1
• 字数: 2279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.03.003

摘要

利用浸渍法将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔硅微腔中,制备了多孔硅微腔-Alq3镶嵌膜,研究了多孔硅微腔对镶嵌其中的Alq3自发发射的微腔效应,观察到了光谱窄化、发光强度增强等现象.镶嵌于多孔硅微腔中的Alq3荧光光谱的半峰全宽只有15nm,而非微腔样品,即镶嵌于普通的单层多孔硅中Alq3荧光谱半峰全宽在85 nm以上.并且有微腔时Alq3发光强度比没有微腔时Alq3发光强度增强一个数量级.随机改变微腔中Bragg反射镜高折射率层的几何厚度可使高反射区展宽,从而更加有效地抑制了多孔硅本身的发光模,使发光色度更纯,但由于峰值透射率减小,导致共振峰强度有所减小.多孔硅微腔有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq3在电致发光器件方面应用的一条新途径.