Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶

• 作者: 刘萍 屈新萍 徐展宏 李炳宗 段鹏 茹国平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导结晶 非晶SiGe薄膜 固相结晶
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1453-1457
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3424字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.020

摘要

采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶SiGe薄膜特性进行了表征,并对退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶的影响进行了研究.研究表明Ni的参与可以显著降低非晶SiGe薄膜的结晶时间以及结晶温度;退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶有明显阻碍作用;采用先在高纯N2(99.99%)气氛下快速热退火(RTA)预处理,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶SiGe薄膜的结晶情况.