溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究

• 作者: 庄思永 曹立志
• 来源期刊: 感光科学与光化学
• 学科: 化学
• 关键词: T-颗粒晶体 电子电导率 空穴电导率 浅电子陷阱掺杂剂
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 114-119
• 页数: 6页
• 分类号: O64
• 字数: 3071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-0475.2004.02.006

摘要

利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T-颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率,并与未掺杂的晶体样品进行对比,分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响.结果表明,随掺杂剂用量的增加,晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加,这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合.但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同,当掺杂量一定,掺杂剂掺在碘区附近时,晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显.随着实验温度的增加,乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹立志	华东理工大学精细化工研究所	10	17	2.0	3.0
2	庄思永	华东理工大学精细化工研究所	33	62	4.0	6.0