反应磁控溅射制备的Cr-N薄膜的成相行为

• 作者: 伍锦添 於元炯 李鸣楚 赵韦人
• 来源期刊: 金属功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 反应磁控溅射 Cr-N薄膜 X射线衍射 相
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-8192.2004.04.007

摘要

采用反应磁控溅射在不锈钢衬底上制备Cr-N薄膜,并研究了基片温度、氮气分压和溅射功率变化对薄膜相组成的影响.结果表明,基片温度升高使薄膜由单一的CrN相变成CrN和Cr2N两相共存,同时使有效的沉积速率下降;在基片温度为373K、溅射功率约45W时,氮气和氩气流量比在1:4到3:2的范围内变化时,薄膜的相组成几乎没有明显的变化;过高的溅射功率使薄膜以非晶态的形式存在.热处理后的Cr-N薄膜通常有CrN和Cr2N两相共存.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	於元炯	浙江师范大学物理系	3	22	3.0	3.0
2	赵韦人	汕头大学应用物理系	13	79	5.0	8.0
3	李鸣楚	汕头大学应用物理系	1	12	1.0	1.0
4	伍锦添	汕头大学应用物理系	1	12	1.0	1.0