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嵌入式F1ash Memory Cell技术
嵌入式F1ash Memory Cell技术
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摘要：
本文分析了目前常用的快闪存储器(Flash Memory)存储单元结构,介绍了一种适用于嵌入的单元结构,存储器阵列设计、可靠性设计技术.
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2016(1)
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研究主题发展历程
节点文献
快闪存储器
非易失性存储器
Cell
SSI
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
开本：
大16开
出版地：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
邮发代号：
创刊时间：
2002
语种：
chi
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543
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