嵌入式F1ash Memory Cell技术

• 作者: 封晴
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 快闪存储器 非易失性存储器 Cell SSI
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 电路设计与测试
• 页码范围: 33-37,40
• 页数: 6页
• 分类号: TN333.5
• 字数: 3998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2004.04.009

摘要

本文分析了目前常用的快闪存储器(Flash Memory)存储单元结构,介绍了一种适用于嵌入的单元结构,存储器阵列设计、可靠性设计技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	封晴		5	21	3.0	4.0