TiO2添加剂对AlN-SiC材料微波衰减性能的影响

• 作者: 丘泰 吴华忠 李晓云 沈春英
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝–碳化硅 二氧化钛 微波衰减材料 热压烧结
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 信息材料及应用
• 页码范围: 48-50
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 3200字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.04.016

摘要

在AlN-SiC复相材料中加入TiO2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-SiC-TiO2复相微波衰减材料.通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-SiC复相材料微波衰减性能与SiC含量的之间的关系,以及添加剂TiO2对AlN-SiC复相材料微波衰减特性和显微结构的影响.结果表明,SiC是良好的宽频微波衰减剂,对衰减频谱曲线特征起决定作用;TiO2的添加大大促进了AlN-SiC复相材料的烧结性能和微波衰减性能,添加了TiO2后6 GHz下衰减量由0.6 dB增加到0.85 dB.初步探讨了AlN-SiC-TiO2复相材料的微波衰减机理,电导损耗、介质损耗是其主要的微波衰减机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丘泰	南京工业大学材料科学与工程学院	283	2308	22.0	31.0
2	李晓云	南京工业大学材料科学与工程学院	69	515	12.0	19.0
3	沈春英	南京工业大学材料科学与工程学院	104	897	16.0	25.0
4	吴华忠	南京工业大学材料科学与工程学院	2	5	1.0	2.0