NO在MgO(001)缺陷表面吸附解离的量子化学研究

• 作者: 徐艺军 李俊篯 章永凡 陈文凯
• 来源期刊: 结构化学
• 关键词: NO 缺陷表面 氧化镁 量子化学研究
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 192-196
• 页数: 5页
• 字数: 2867字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-5861.2004.02.015

摘要

在密度泛函理论框架下,采用嵌入点电荷簇模型研究了NO在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附.研究结果表明:具有氧缺陷结构表面的催化活性较高,有利于NO键的削弱;当另一个NO分子进攻已吸附的NO分子时,NO键将进一步削弱,直致断裂,并伴有N2O产生,这与UPS和MIES实验观察到的现象一致.Mulliken布居分析指出,底物电子向NO转移,并填充到NO的π*反键轨道上,从而导致NO键的削弱,并形成NO-.这也是可能导致形成NO-的原因.研究还表明,具有镁缺陷的MgO(001)表面对NO的解离没有催化活性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李俊篯	福州大学化学系	31	158	7.0	10.0
3	陈文凯	福州大学化学系	58	266	8.0	12.0
5	章永凡	福州大学化学系	58	241	10.0	12.0
7	徐艺军	福州大学化学系	4	18	2.0	4.0