Si基ZnO/Ga2O3氨化反应制备GaN薄膜

• 作者: 庄惠照 王书运 董志华 薛成山 高海永
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ga2O3薄膜 ZnO缓冲层 氨化 自组装 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2676字
• 语种: 中文

摘要

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中850 ℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜.XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用SEM和TEM观测了薄膜形貌,PL测量结果发现了位于350 nm和421 nm处的室温光致发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书运	山东师范大学物理与电子科学学院	57	450	11.0	19.0
2	庄惠照	山东师范大学物理与电子科学学院	72	276	9.0	11.0
3	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院	117	476	11.0	13.0
4	高海永	山东师范大学物理与电子科学学院	13	37	4.0	5.0
5	董志华	山东师范大学物理与电子科学学院	11	32	4.0	4.0