纳米Y2O3:Eu3+中S6格位电荷迁移带的光学特性

• 作者: 任新光 吕少哲 孙江亭 宋宏伟 张家骅 王笑军 贾明理 骆永石
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 格位 电荷迁移带 能量传递 红移
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 62-66
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.01.013

摘要

在Y2O3:Eu3+体材料和纳米材料中,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu3+的5Do→7F1发射(582nm)的强度,相对处于C2格位的5Do→7Fo发射(580nm)的强度,随着激发波长在200～300 nb紫外区由长变短而增强.这一现象说明Y2O3:Eu3+中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同.光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2格位电荷迁移带的高能侧,Y2O3基质倾向于向S6格位进行能量传递.与体材料相比,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移;相对于C2格位的电荷迁移带,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低,并对结果进行了讨论.