空间用GaAs/Ge太阳电池器件工艺研究

• 作者: 张忠卫 彭冬生 池卫英 王亮兴 陆剑峰 陈鸣波
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 GaAs/Ge 器件工艺
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 508-510
• 页数: 3页
• 分类号: TK514
• 字数: 1964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.016

摘要

报道了对GaAs/Ge太阳电池器件工艺的研究结果.采用细栅厚电极正胶剥离技术制备细栅厚电极,栅线宽度小于15 μm,厚度在5 μm以上;采用NH4OH/H2O2选择性腐蚀液体系去除GaAs帽子层; 采用真空蒸发制备TiO2/SiO2双层减反射膜,电流密度增益可达25%以上;研制出平均效率达到19%(AM0,1 s,25 ℃)以上的GaAs/Ge太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王亮兴		7	173	4.0	7.0
2	张忠卫		11	192	5.0	11.0
3	池卫英		11	178	4.0	11.0
4	彭冬生		3	16	2.0	3.0
5	陈鸣波		23	344	9.0	18.0
6	陆剑峰		8	174	4.0	8.0